This is a high-visibility position offering the opportunity to make significant technical and business contributions while helping shape the future of GaN power semiconductor innovation
Qualifications
[Must]
B.S. above in Electrical Engineering, Semiconductor Physics/Engineering, or a related technical field w.i 3-7 years of experience in semiconductor device development, characterization, or technology engineering.
Understanding of semiconductor device physics. Experience with power device or SiC or GaN related technology development.
Hands-on experience in electrical characterization and device testing.
English communication skills for technical topic discussion with global teams
[Good to have]
Strong problem-solving skills and the ability to independently drive technical investigations.
Understanding of device reliability, degradation mechanisms, and qualification standard.
Similar with semiconductor test equipment, such as parameter analyzers, SMUs/CMUs, curve tracers, oscilloscopes, pulse generators, probe stations.
Analyzing electrical data using Python, JMP, or similar statistical tools.
Additional Information
ルネサスは、「To Make Our Lives Easier（人々の暮らしをより豊かで快適にする）」というPurposeのもと、組込み半導体ソリューションを提供するグローバル企業です。世界30か国以上で活躍する21,000人を超えるエンジニアや課題解決のプロフェッショナルとともに、自動車、産業、インフラ、IoT分野における世界最先端のテクノロジー開発に携わり、より安全で、健康的で、環境にやさしく、スマートな未来の実現に貢献しています。
ルネサスでは、「TAGIE（Transparent、Agile、Global、Innovative、Entrepreneurial）」を企業文化の中核としています。TAGIEは、私たちの働き方や成長のあり方、そしてPurposeの実現に向けた取り組みを支える共通の価値観です。この協調的な精神と挑戦するマインドセットが、半導体技術を通じた産業の変革と、世界中の人々の暮らしへの貢献を可能にしています。
私たちは、競争力のある報酬制度に加え、充実した福利厚生をご用意しています。福利厚生の詳細については、選考プロセスの中でご案内いたします。
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